Schottky diyotları, p-tipi yarı iletkenlerin ve n-tipi yarı iletkenlerin PN bağlantıları oluşturmak için temas etmesi ilkesi kullanılarak değil, metal yarı iletken temasıyla oluşturulan metal yarı iletken bağlantılar ilkesi kullanılarak yapılır. Bu nedenle Schottky diyot, metal yarı iletken (temas) diyot veya sıcak taşıyıcı diyot olan yüzey bariyer diyot olarak da adlandırılır.
SBD'nin ana avantajları iki yönü içerir:
1) Schottky bariyer yüksekliği, PN bağlantı bariyer yüksekliğinden daha düşük olduğu için, ileri iletim eşik voltajı ve ileri voltaj düşüşü, PN bağlantı diyotununkinden daha düşüktür (yaklaşık 0.2V daha düşük).
2) Schottky diyodu bir tür çoğu taşıyıcı iletken cihaz olduğundan, azınlık taşıyıcı ömrü ve ters geri kazanım yoktur. Schottky diyodunun ters toparlanma süresi, Schottky bariyer kondansatörünün yalnızca şarj ve deşarj süresidir ve bu, PN bağlantı diyotunun ters toparlanma süresinden tamamen farklıdır. Schottky diyodunun ters geri kazanım yükü çok küçük olduğundan, anahtarlama hızı çok hızlıdır ve anahtarlama kaybı özellikle küçüktür, bu da özellikle yüksek frekanslı uygulamalar için uygundur.
Bununla birlikte, Schottky diyodunun ters kırılma voltajı nispeten düşüktür çünkü Schottky diyotun ters bariyeri incedir ve arıza yüzeyinde kolayca meydana gelir. Schottky diyotları, PN bağlantı diyotlarına göre termal bozulmaya daha yatkın olduğundan, ters kaçak akım, PN bağlantı diyotlarından daha büyüktür.
başvuru
Schottky diyotun yapısı ve özellikleri, onu düşük voltajlı ve büyük akım çıkış alanlarında yüksek frekanslı doğrultma, çok yüksek frekanslarda (X-bandı, C-bandı, S-bandı ve Ku bandı gibi) algılama ve karıştırma için uygun kılar. ve yüksek hızlı mantık devrelerinde kenetleme. Schottky diyotları genellikle IC'lerde kullanılır. Schottky diyotları gibi entegre devreler, TTL devrelerinin ana akımı haline geldi ve yüksek hızlı bilgisayarlarda yaygın olarak kullanılıyor.
Ortak PN eklem diyodunun karakteristik parametrelerine ek olarak, tespit ve karıştırma için kullanılan Schottky diyodunun elektriksel parametreleri ara frekans empedansını da içerir (anma yerel osilasyon gücü, Schottky diyodunun empedansını ifade eder. belirtilen ara frekans, genellikle 200 Ω ile 600 Ω arasında), gerilim duran dalga oranı (genellikle 2'den küçük veya 2'ye eşittir) ve gürültü rakamı.
etki
Schottky diyot, düşük güç tüketimi ve yüksek hıza sahip bir tür yarı iletken cihazdır. Son derece kısa ters toparlanma süresi (birkaç nanosaniye kadar küçük) ile karakterize edilir ve ileri iletim voltaj düşüşü yalnızca yaklaşık 0,4V'dir. Esas olarak yüksek frekanslı, düşük voltajlı, büyük akım doğrultucu diyot, serbest dönen diyot, koruma diyotu olarak kullanılır ve ayrıca mikrodalga iletişimi ve diğer devrelerde doğrultucu diyot ve küçük sinyal algılama diyotu olarak kullanılır. İletişim güç kaynağı ve frekans dönüştürücüde yaygındır.
Tipik bir uygulama, iki kutuplu transistör BJT'nin anahtarlama devresinde, Shockley diyodunun kelepçelemek için BJT'ye bağlanmasıdır, böylece transistör aslında açık durumda çok kapalı bir durumda olur ve böylece anahtarlama hızını artırır. transistör. Bu yöntem, 74LS, 74als ve 74A gibi tipik dijital IC'lerin TTL dahili devrelerinde kullanılan bir tekniktir.
Schottky diyodunun bir başka özelliği de VF ileri gerilim düşüşünün nispeten küçük olmasıdır. Aynı akım altında, ileri voltaj düşüşü çok daha küçüktür. Ayrıca iyileşme süresi kısadır. Ayrıca bazı dezavantajları da vardır: Dayanma gerilimi nispeten düşüktür ve kaçak akım biraz daha fazladır. Seçim yapılırken kapsamlı değerlendirme yapılmalıdır.
